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TSM130NB06LCR-RLG

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Solo por referencia

Nº de pieza TSM130NB06LCR-RLG
Fabricantes Taiwan Semiconductor Corporation
Descripción MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
Hoja de datos
Paquete -
ECAD
En existencias 22.500 piece(s)
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Especificaciones TSM130NB06LCR-RLG

FabricantesTaiwan Semiconductor Corporation
CategoríaProductos semiconductores discretos - Transistores - FET, MOSFET - Simple
Paquete-
ECAD
Serie-
Tipo de FETN-Channel
TecnologíaMOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)60 V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C10A (Ta), 51A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs37 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds2175 pF @ 30 V
Vgs (Max)±20V
Característica FET-
Disipación de potencia (Máx)3.1W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 10V
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montajeSurface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor8-PDFN (5.2x5.75)
Paquete / caja8-PowerLDFN

TSM130NB06LCR-RLG Packaging

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Sealing
Packing
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